Modelowanie przyrządów półprzewodnikowych

Moje badania koncentrują się na teoretycznym badaniu właściwości elektronicznych i optycznych heterostruktur półprzewodnikowych. Opracowuję i stosuję zaawansowane wielopasmowe modele k⋅p do badania struktury pasmowej, dynamiki nośników oraz oddziaływań światło-materia w układach niskowymiarowych. Szczególną uwagę poświęcam modelowaniu studni kwantowych, supersieci i złączy tunelowych, w tym wpływowi naprężeń, uwięzienia kwantowego i wbudowanych pól polaryzacyjnych. Badania te są niezbędne do zrozumienia i optymalizacji działania urządzeń optoelektronicznych, takich jak diody elektroluminescencyjne (LED) i diody laserowe (LA).

Istotną część mojej działalności naukowej stanowi analiza wzmocnienia materiałowego w różnych klasach półprzewodników, zarówno w związkach konwencjonalnych, jak i w nowych materiałach, takich jak perowskity. Przez lata opracowywałam specjalistyczne narzędzia numeryczne i kody symulacyjne, które umożliwiają dokładne i wydajne obliczenia struktury elektronowej i właściwości optycznych.